Tags:
Швейцарскими учеными из университета Лозанны, открыты и изобретены опытные образцы флеш-памяти с толщиной в один атом. Опыт смог стать удачным, благодаря слиянию двух образцов — молибденита и графена, что позволило получить новые ячейки и памяти и назвать это прорывом в производстве устройств носителей и хранения информации. Данные экспериментальные образцы показывают выдающиеся показатели в эффективности своей работы, имеют очень малые показатели потребления электроэнергии, обладают отличными характеристиками гибкости и размера. Флеш память же старого образца, которая применяется в наших телефонах, не так эффективна и иногда выходит из строя. Поэтому телефоны и другие мобильные устройства приходится ремонтировать. Ремонт телефонов Samsung обходится сравнительно не дорого, так как это очень распространенная марка мобильников.
При помощи самого материала молибденита, ранее уже были созданы образцы компьютерных чипов, но производство флеш-памяти удалось впервые. Это наталкивает на мысль о том, что молибденит в будущем станет одним из самых востребованных материалов в электронике и компьютерной промышленности. Идея по-настоящему стоящая еще и потому, что были совмещены уникальные свойства в электропроводности графена и полупроводниковые показатели молибденита, ранее этого не делал никто.
Какую пользу принесет это изобретение непосредственному пользователю флеш-карт? Ответ очевиден, карты сильно потеряют в своих размерах, станут гибкими и не будут подвержены перегоранию. Само химическое соединение графена и молибденита, получило химическую формулу MoS2, соединение имеет уникальную в своем роде кристаллическую решетку и энергетическую группу, что позволяет свести к минимуму затраты электроэнергии при изменении статуса активности устройства. Элемент флеш-памяти транзистор, выполнен почти идентично полевому транзистору, однако из середины изъят кремний и добавлен молибденит, а из графена выполнены нижние электрода, которые осуществляют подачу электроэнергии. В завершении устройства находится несколько слоев графена, которые позволяют накопить достаточное количество электроэнергии для пассивного существования в долгий период времени.
Опытный образец пока не может похвастаться приличным объемом памяти, но это вопрос времени и работы. Гибкость, малый размер и низкое потребление электроэнергии, позволяет понять о научном прорыве в области производства флеш-карт.